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三星将纳米压印技术用于闪存
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据日经BP社报道,韩国三星电子在“SPIE Advanced Lithography 2008”上,首次公开了纳米压印技术的开发情况。目前量产中的38nm工艺闪存的整个芯片图案可使用纳米压印技术一次形成。
  模板的外形尺寸为18mm×30mm,由大日本印刷制造。三星电子“在尺寸均一性和LWR(Line Width Roughness)等方面做了改进,取得了良好的结果,今后将作为候补技术之一继续从事纳米压印技术的开发”。

  早在三星电子的发表之前,东芝于07年9月公开了纳米压印技术的开发情况。由于各大闪存厂商相继发布了纳米压印技术开发成果,相关技术的开发进一步加快。

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